[題目] 半導體載子濃度題目
[領域] 半導體 (題目相關領域)
[來源] 課本(neaman) (課本習題、考古題、參考書...)
[題目]
The value of p in silicon is at T=300K is 10^15 cm^-3
Determine (a) Ec-Ef (b) n
[瓶頸] (寫寫自己的想法，方便大家為你解答)
(a)
p=Nv exp(-(Ef-Ev)/kT)
10^15=1.04x10^19 exp(-(Ev-Ef)/0.0259)
Ef-Ev=0.23956eV
for Silicon at 300K Eg=Ec-Ev=1.12eV 代入上式
Ec-Ef=0.88eV
(b)
n=Nc exp(-(Ec-Ef)/kT)
=2.8x10^19 exp(-0.88/0.0259)
=4.9x10^4 cm^-3
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答案對過解答都沒有錯，但目前有個想法是
這個問題為什麼不符合Mass Action Law
for Si at 300K,ni=1.5x10^10
但是我發現ni^2不等於p x n
加上課本上有別的例題跟這題很類似，卻又符合Mass Action Law
麻煩大大解惑@@
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