[問題] 關於半導體中雜質濃度

看板Physics作者 (sfdfsaw)時間13年前 (2012/10/27 00:10), 編輯推噓1(1推 0噓 22→)
留言23則, 2人參與, 最新討論串1/1
小弟我想請問 若摻雜 硼原子 2*10^16 cm^-3 砷原子 1.5*10^16 cm^-3 求300K下 電子電洞濃度 移動率 電阻係數 小弟想問 為何 p(電洞濃度)=NA-ND=2*10^16-1.5*10^16=5*10^15 為什麼兩個摻雜的濃度相減??? 而且兩個摻雜濃度的數量級差不多 怎算出來 p>>n ( n=1.86*10^4 cm^-3 ) 且電洞的移動率up=up(NA+ND)=3.5*10^16*uP=290 cm^2/v-s ??? 小弟我想不出來為何要這樣算 且上面的up哪來 T_T 最後知道 p>>n 所以電阻係數=1/qup*p... 懇求半導體高手解答~~~~~~~~~~~~~~ 感激不盡~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.25.117.234
推
10/27 00:33, , 1F
老實說你的問題有點沒頭沒尾的
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10/27 00:34, , 2F
電阻率 載子遷移率 載子濃度三者的關係就像你寫的公式
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不好意思 忘了打"在矽樣本上".....
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那樣 所以一定要知道其中兩者才能推第三者
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你那個電洞遷移律的推導怪怪的
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不好意思 小弟想問遷移率怎乘出來會等於290cm^2/v-s?
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基本上題目給摻雜濃度就是要讓你算載子濃度
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那個遷移率解答是那寫 小弟看不懂T_T
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整個最大疑惑在那QQ
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10/27 00:40, , 10F
假設NA>ND 根據n*p=ni^2和n+NA=p+ND兩個式子去解
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就可解出p=NA-ND (在常溫雜質完全游離且NA>ND>>ni下)
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了解 感謝你 不過那遷移率有點想不通...
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10/27 00:46, , 13F
電洞遷移律那個式子你可能要再檢查有沒有寫錯
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10/27 00:47, , 14F
式子應該是錯的
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10/27 00:48, , 15F
遷移率式子是看解答上寫的 沒有頭緒怎麼這樣列....
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10/27 00:53, , 16F
還是那遷移率是要去查圖表????
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10/27 18:56, , 17F
一般來說只能從電阻率去推 或是effective mass
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和平均碰撞時間去推
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通常都是用霍爾效應去量
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而像Si或GaAs這種東西常溫的載子遷移率都被量過了
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10/27 19:03, , 21F
可以查表得知
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我還是覺得你那個題目很怪就是了 三缺二沒得推導啊
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10/27 19:07, , 23F
你要不要去問一下原出題者或是教授
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