[請益] 關於電子電洞

看板Physics作者 (rodvis)時間13年前 (2012/10/10 15:25), 編輯推噓1(1推 0噓 10→)
留言11則, 3人參與, 最新討論串1/1
為何只有heavy hole和light hole的區別 而electron無輕重之分 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.132.108.146
推
10/10 16:13, , 1F
電子在crystal中的effective mass是會隨著band的不同
10/10 16:13, 1F
→
10/10 16:13, , 2F
而有所差異的 所以你這個問題要看材料而定
10/10 16:13, 2F
→
10/10 16:13, , 3F
對於Si 還有GaAs來說在conduction band minimum附近
10/10 16:13, 3F
→
10/10 16:14, , 4F
來說 因為band沒有重疊 所以只有一個band的effective
10/10 16:14, 4F
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10/10 16:14, , 5F
mass 但是Si 的hole在valence band頂點是有重疊的
10/10 16:14, 5F
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10/11 15:29, , 6F
沒錯Si的conduction band有degenercy，記得有兩種共六條，
10/11 15:29, 6F
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10/11 15:30, , 7F
也因為這個結構，所以可以用strain Si的招式調整carrier的
10/11 15:30, 7F
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10/11 15:30, , 8F
mobility，這招大概是90nm製程開始用的
10/11 15:30, 8F
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10/11 15:32, , 9F
不對，我記錯了，不是兩種，是一種共六條，因為strain具有
10/11 15:32, 9F
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10/11 15:33, , 10F
方向性，會讓四條變慢，兩條變快，並且能階會分開
10/11 15:33, 10F
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10/13 00:50, , 11F
謝謝以上兩位
10/13 00:50, 11F
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