[問題] 不同濃度的同型半導體接觸

看板Physics作者 (bear)時間13年前 (2012/07/23 22:13), 編輯推噓1(1推 0噓 6→)
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小弟不才 想請問板上比較懂半導體的板友 一般來說p n型的半導體接觸後會有空乏區產生 其能帶圖是以fermi level作為水平基準畫出類似階梯的圖形 那如果是不同濃度的n型半導體相接呢? 依照上述方法還是能畫出類似圖形 但是中間會有電場吧?如果有的話是要用兩邊濃度差計算有電場的寬度嗎? 還是說根本不該畫出這樣的圖形? 謝謝大家指教 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.115.41.167 ※ 編輯: bear100 來自: 140.115.41.167 (07/23 22:23)
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一樣會有
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推
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對於不同doping的區域 fermi level位置也就不同
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所以熱平衡的時候能帶也會彎曲 有電場
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還是會有能帶彎曲 但是通常會呈現類似歐姆接觸的型態
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不會出現整流的效果
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感謝n大的回答 但是我的重點不在整流，想知道的是電場區
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的長度該如何得知 謝謝指教
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