[問題] 有關表面能的疑惑
小弟想請教一個有關表面能的問題，希望板上的
神人能夠指點一二
問題是這樣的：由CBD方法製成的半導體薄膜，
在SEM下觀察為小粒子所構成，但是由表面物理
知小粒子有較高的表面能，是故如果由小粒子
構成薄膜，即會呈現高能量不穩定的狀況。我
們知道物體會趨向低能量狀態，所以看起來薄膜
應由低表面能的大粒子構成，卻又與事實不符。
所以此一現象該如何解釋？
看起來理論與事實矛盾，不知道小弟是哪裡有
誤會或是沒考慮清楚的地方，懇請板上神人能
為小弟解惑，感恩
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