[問題] NiP合金與P參雜Si wafer之接觸
大家好
小弟目前在實驗上有個現象一直無法完整解釋
所以想向各位前輩請教請教
我在P doped Si wafer上利用無電鍍鍍上1層200nm的鎳磷(Ni-P)合金
接著利用銀膠在NiP薄膜黏上導線，放置在烘箱裡作2線制的電阻vs溫度量測
得到的data顯示電阻隨著溫度上升(400oC)而下降，溫度降至室溫後電阻也回復到原值
且屢試不爽 ~"~
NiP結構為P散佈在Ni奈米晶上，可以說是具有金屬性質
無法解釋的地方就在於data顯示的並不是金屬特性(像半導體)
wafer和NiP的電阻率分別是 1~10E6和500 uOhm-cm (兩者差異至少4個order)
文獻上有研究指出NiP和此種wafer的接觸電阻約為0.5~0.8 ohm-cm
我想請教的是
以這樣的電阻率差異，有可能我量到的是半導體嗎?
謝謝各位!!
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◆ From: 111.255.188.131
※ 編輯: jianhung 來自: 111.255.188.131 (04/30 13:18)
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