[請益] 關於trap
因為最近碰到跟半導體相關的一些東西
有些不太理解的地方想詢問，煩請各位給點方向或提示 感謝
1. 一般來說，半體當中所謂的defect、trap、deep level的最大差異在哪？
還是其實都是相同的東西？
以本身的理解是:
defect是晶體本身的缺陷問題，造成電子/電洞的掉落
而trap則是在同個defect當中，不同的deep level產生的結果
2.另外，閱讀paper時，看到了trap又可分別分為H0-H5、E1-E5
查了文章後，其分類好像是因能階不同而分類的，是否有其他較為清楚的分類呢？
且，請問其中的H是否表示只抓"電洞"的trap，而E則是只抓"電子"的trap呢？
以及H跟E是否只分別存在於p-type及n-type？
或者不管是何種類型的半導體都有出現H及E的trap？
3.還有關於過剩載子的生命週期(lifetime)，因看了篇有關輻照對於太陽能電池的影響
其中有提到一公式是： -1 -1
τ = τ + κφ
0
其中κ是the rate of introduction of defect
φ則是光照通量 (cm^(-2))
從公式上來看，光通量的增加，會造成生命週期縮短
可是從圖示上思考，光通量的增加使得電子-電洞對增加
不是意味著其載子濃度也隨之增加，而濃度增加，卻造成生命週期的減少
是因為濃度越高，過剩載子被吃掉的機會也會增加的緣故嗎？
問題大致上如此，先謝謝各位的幫忙
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