[問題] 2個p型半導體接合在一起

看板Physics作者 (呵呵！！)時間13年前 (2011/03/03 09:34), 編輯推噓3(3推 0噓 15→)
留言18則, 7人參與, 4年前最新討論串1/1
如題目所說的 一般而言我們大家都知道pn型半導體接合後 會有pn junction然後形成二極體 但有沒有人想過 如果兩個doping level不同的p型半導體接合 會發生甚麼事呢? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 111.243.162.184
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03/03 09:35, , 1F
我猜導通的時候其中一邊會崩潰
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推
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類似PN接面...只是整流效果就很差...比較接近歐姆接觸
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03/03 10:59, , 3F
想法來自High doping hole擴散效應...也產生內建電場
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03/03 13:43, , 4F
就二樓說的呀~效果很差~沒啥利用價值
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03/03 15:21, , 5F
利用價值其實就是歐姆接觸...有些製程會這樣做for N not P
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03/03 15:22, , 6F
當我訊號藉由metal 傳導...我們希望歐姆接觸才可正負半周
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03/03 15:46, , 7F
來個高手解釋P type是否可行???
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推
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這其實也不罕見 像有的低參雜的p型半導體要拿金屬
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03/03 17:44, , 9F
當contact 會先在接觸點佈植離子形成p+ 最後再下金屬
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推
03/03 20:34, , 10F
推樓上 P+導電性較好
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03/03 20:35, , 11F
這在CMOS算很重要的
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03/03 20:56, , 12F
所以N+與P+都一樣可以囉?這兩者有優劣嗎?除mobility外
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03/03 20:57, , 13F
我記得N+比較好...但忘了為何 (for a-Si)
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03/03 22:35, , 14F
a-Si好像本身就是n型的
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08/13 16:05, , 15F
我猜導通的時候其中一邊 https://noxiv.com
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09/17 14:05, , 16F
利用價值其實就是歐姆接 https://daxiv.com
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01/02 14:42, 5年前 , 17F
//daxiv.com http://yofuk.com
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07/06 23:01, 4年前 , 18F
利用價值其實就是歐姆接 http://yofuk.com
07/06 23:01, 18F
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