[問題] ＰｉＮ結構

看板Physics作者 (找到出路)時間16年前 (2009/09/30 21:37), 編輯推噓4(4推 0噓 12→)
留言16則, 4人參與, 最新討論串1/1
想請問一下 太陽能電池中的ＰＩＮ結構中的Ｉ 為何大部分都選用本質的半導體 另外最常看到的都是a-si 為何不用poly si or 單晶si,來當i-layer p.s初學者問的很淺 謝謝包含 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.168.75.234
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09/30 23:33, , 1F
我猜是為了讓好不容易生成的電子電洞對不容易再次複合
09/30 23:33, 1F
推
10/01 07:46, , 2F
價格成本考量,低價產品用便宜但表現差的非晶矽
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10/01 07:47, , 4F
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推
10/01 07:50, , 5F
多晶矽的表現較好,創了18.9%的太陽能發電效率世界記錄
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10/01 07:50, , 7F
#Solar_panel_and_applications
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10/01 08:19, , 8F
不是intrinsic的話，會有free carrier absorption
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10/01 08:20, , 9F
然後就會把電子電洞吃掉
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推
10/01 08:59, , 10F
樓上的說明可想成若不用i當發光層,則p/n導電度高很像
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10/01 09:01, , 11F
屏蔽效應會使發出的光又被吸收(像金屬球中心電場為零)
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10/01 09:02, , 12F
被屏蔽掉了;靜電場與電磁波電場中導電度都是損耗
10/01 09:02, 12F
推
10/01 23:15, , 13F
因為a-Si擴散長度太短 所以用drift電流讓電子電洞分開
10/01 23:15, 13F
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10/01 23:17, , 14F
阻值高的材料電場才加的上去
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10/01 23:20, , 15F
用非晶or結晶要考量基板耐熱及成本 或是HIT結構就是做在wafe
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10/01 23:22, , 16F
r上面 ITO/N/I/單晶N wafer/I/P/ITO 效益可以上到20%以上
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