[問題] 為何製程溫度會影響 Oxiod Film 的蝕刻 …

看板Physics作者 (小尾物語)時間15年前 (2008/10/31 13:36), 編輯推噓2(2推 0噓 2→)
留言4則, 3人參與, 最新討論串1/1
使用 Ar pre-clean 方式 相同的 Chamber , 相同的 Recipe 設定 唯一不一樣的是 Etch Time Oxiod Film 的 Etch rate 會逐漸變慢 請問誰可以解釋這種現象的機制 ?! ※ 編輯: anderow 來自: 218.172.106.17 (10/31 13:38)
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oxoid film?
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推
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請樓下 MODULE 為你解答...
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SiO2
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推
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Ar+濃度 又不是PM完後 會一職維持一樣
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