[問題] 關於折射率和材料GaAs

看板Physics作者 (～天天都是happy day～)時間17年前 (2008/08/05 21:35), 編輯推噓6(6推 0噓 9→)
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第一個問題是 關於折射率在thin film 時 我們使用折射定律 所以假設電磁波進入時 介電常數不會隨著媒質而改變 才能使用snell's law 這種講法通嗎? 還是說 介電常數仍然會變化 只是變化夠小 因為要使用snell's law 都是在折射率代常數的情形下吧 這要怎麼解釋呢? 不太清楚 什麼時候介電常數的變化可以忽略耶??? 第二個問題是 為什麼現在很多device 都是以GaAl為substrate來做呀? 想問一下這個材料有什麼物理或光電特性呢?? 先謝謝板友們 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.224.77.200
推
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首先 介電常數隨著媒質改變是不對的 大部分情況介電常數
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會隨著頻率而改變 故Snell's law 必成立
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推
08/06 02:24, , 3F
GaAs 是 direct bandgap 的原因
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推
08/06 02:47, , 4F
Snell's law 是來自邊界條件，Maxwell equation 沒錯的話
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邊界條件就不會錯，Snell's law 也就恆成立 (考慮介電常數)
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h大和t大的意思 有相關嗎? 可是為什麼隨頻率改變 snell's
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law 就會恆成立? 不懂耶? 如果是因為直接帶隙 是因為他的
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特性嗎? 那我在去看看他的特性
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08/06 06:58, , 9F
謝謝
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推
08/06 13:25, , 10F
我講的跟 h 兄講的沒有關係，我講的只是Snell's Law 恆成立
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至於介電常數的確是頻率的函數，跟該物質的能階有關
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08/06 13:29, , 12F
我不太清楚 "介電是頻率函數 <-> Snell's Law 成立" 的邏輯
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推
08/06 13:48, , 13F
不好意思 我寫太快 t兄寫的是對的 XDD
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08/06 21:23, , 14F
謝謝你們
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推
08/07 02:08, , 15F
:) 如果考慮光子晶體這種東西就更麻煩..先忘了它吧 XD
08/07 02:08, 15F
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