[問題] Schottky barrier

看板Physics作者 (哈啦Cafe)時間17年前 (2008/07/03 10:49), 編輯推噓2(2推 0噓 0→)
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metal- n type半導體energy band diagram如下 http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811758 而如果是metal- n type半導體 - metal 則如下 http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811822 一般在edge因schottky barrier成形的depletion region大約幾個um. 我想問，當中間的n-type半導體變成只有幾個或幾十nm厚時， 那band diagram是不是就變成這樣 http://www.pixnet.net/photo/mrcafe/94811850 如果是，這樣又會有兩個問題， 一是，原來的n-type，現在變成p-type，這樣是否合理？ 二是，那原來的fermi level 跑去哪了？ 希望有人提供相關可以參考的書或paper，感謝！ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.109.103.226
推
07/03 12:59, , 1F
這樣是不是會直接tunnel過去啊....純猜測 請高手回答
07/03 12:59, 1F
推
07/06 00:13, , 2F
我認為cb.跟vb.應該變得很sharp或者甚至會split
07/06 00:13, 2F
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