[問題] 電子遷移(electro migration)與溫度的關係

看板Physics作者 (有五分埔達人給我建議嗎?)時間16年前 (2008/05/11 18:25), 編輯推噓2(2推 0噓 7→)
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想請問一下 在半導體製程中 金屬Al導線的電子遷移現象(electro migration)與溫度的關係 就是說溫度越高時這種現象會越強或越弱呢?? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.169.76.27 ※ 編輯: shushuky 來自: 118.169.76.27 (05/11 23:16)
推
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當線寬作越小,原子可沒變小also電子也沒有
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電子的動能變得不能忽略,所以會漸漸搬動al-atoms
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晶格中越熱的原子會往低溫的地方擴散......
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推
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上列說明是根據個人的推測,劣者查過書,正確說法如下:
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1.T越高是不是EM越明顯,答案是:Yes
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2.EM成因:金屬晶格受到電子撞擊動能變大(溫度變高)因而
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局部晶格原子的動能變的非常大(接近成為液態狀態),因這
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種材料都是薄膜材料,空穴會在晶界或薄膜表面形成,所以
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高溫原子會向空穴擴散,故巨觀上成為EM.
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