==> cy.bbs@bbs.nhsh.tp.edu.tw (築夢) 提到:
翻譯得好鳥喔~~~
簡單地用物理術語來講就是
當尺寸縮到很小的時候,bulk不再是bulk,
不能忽略邊界或是表面的效應,用數學來講就是
體積是 r^3 表面積是 r^2, 當 r 變小時,表面的影響
就變大。
而當 Si 表面的鍵結為接氧或接氫或接另一顆Si時,
造成 Phonon vibration 的差異,(如果是bulk的話,
那表面對內部phonon的影響很小,所以其值總是固定的)
所以由phonon帶走的能量就不一樣,造成Stoke shift的差異,
換句話說,就是量 Raman Shift 得知。
不過,我們一般都不會去看 anti-Stoke, 不知道在奈米的尺寸之下
anti-Stoke的表現會不會變強 ?
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