[情報] 三星全球首秀3nm！電壓只需0.23V

看板PC_Shopping作者 (原廠打手 !!!)時間3年前 (2021/03/14 19:22), 編輯推噓20(20推 0噓 22→)
留言42則, 28人參與, 3年前最新討論串1/1
這幾年，台積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭，春風得意 能夠追趕的也只有三星了，但是後者的工藝品質一直飽受質疑。 IEEE ISSCC國際固態電路大會上，三星(確切地說是Samsung Foundry) 又首次展示了採用3nm工藝製造的晶片 是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM存儲晶片，這也是新工藝落地傳統的第一步。 在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點 其他則是升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。 三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術 再次實現了電晶體結構的突破，比現在的FinFET立體電晶體又是一大飛躍。 GAAFET技術又分為兩種類型，一是常規GAAFET，使用納米線(nanowire)作為電晶體的鰭 (fin) 二是MBCFET(多橋通道場效應電晶體)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片 (nanosheet)。 三星的第一顆3nm SRAM晶片用的就是MBCFET，容量256Gb，面積56平方毫米 最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電壓只需要區區0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電 技術。 按照三星的說法，3GAE工藝相比於其7LPP，可將電晶體密度增加最多80％ 性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。 或許，這可以讓三星更好地控制晶片功耗、發熱，避免再出現所謂的“翻車”。 三星3nm預計明年投入量產，但尚未公佈任何客戶。 台積電方面，3nm繼續使用FinFET技術，號稱相比於5nm電晶體密度增加70％ 性能可提升11％，或者功耗可降低27％，預計今年晚些時候投入試產 明年量產，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等，甚至據 說Intel也會用。 https://news.mydrivers.com/1/744/744941.htm 沒關係 大家都會用 會翻車一起翻 免驚 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.219.170.105 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1615720944.A.0E5.html
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03/14 19:29, 3年前 , 1F
漏電幾A不敢寫?
03/14 19:29, 1F
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03/14 19:31, 3年前 , 2F
重點良率咧？
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03/14 19:32, 3年前 , 3F
漏電大師
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03/14 19:33, 3年前 , 4F
反正股價會說話
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03/14 19:41, 3年前 , 5F
跑分出來再看看
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03/14 19:48, 3年前 , 6F
vth又不是越低越好
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03/14 19:57, 3年前 , 7F
噴了一堆晶圓 唯一優良的一片晶片
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03/14 20:11, 3年前 , 8F
今年的888...
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03/14 20:13, 3年前 , 9F
記憶體跟邏輯應該分開看 吧?
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推
03/14 20:20, 3年前 , 10F
漏電率多少
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03/14 20:20, 3年前 , 11F
好的 製造個S888來看看
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03/14 20:21, 3年前 , 12F
快做 晶片缺死了！
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推
03/14 21:23, 3年前 , 13F
來個ISB看看
03/14 21:23, 13F
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03/14 21:53, 3年前 , 14F
8nm都弄不好
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03/14 21:59, 3年前 , 15F
SRAM就是驗證邏輯閘的第一步 這是任何公司都會走的
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03/14 21:59, 3年前 , 16F
第一步 能成功表示有一定的可行性了
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03/14 22:06, 3年前 , 17F
找到到人封裝嗎
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03/14 22:10, 3年前 , 18F
台積用FinFet就做的出來，
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03/14 22:10, 3年前 , 19F
三星要用GAA才做的出來，
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03/14 22:10, 3年前 , 20F
這個GAP很明顯了
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03/14 22:21, 3年前 , 21F
S888真的笑死
03/14 22:21, 21F
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03/14 22:35, 3年前 , 22F
最後三星的3nm跟7nm比，然後台積電3nm卻是跟5nm比，
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03/14 22:36, 3年前 , 23F
這是怕台積電3nm去跟7nm比會讓三星輸到脫褲嗎???
03/14 22:36, 23F
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03/14 23:00, 3年前 , 24F
這個是電不上去的意思?
03/14 23:00, 24F
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03/14 23:17, 3年前 , 25F
理論上GAA會比finfet改善漏電
03/14 23:17, 25F
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03/14 23:30, 3年前 , 26F
會有多澇賽?
03/14 23:30, 26F
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03/15 01:04, 3年前 , 27F
會過熱嗎？！
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03/15 03:42, 3年前 , 28F
良性競爭，樂觀看待
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03/15 03:45, 3年前 , 29F
03/15 03:45, 29F
推
03/15 09:09, 3年前 , 30F
三星的數據是跟7nm比較。台積是跟5nm比較。記者這麼
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03/15 09:09, 3年前 , 31F
那麼貼心
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03/15 09:12, 3年前 , 32F
後面量產的客戶明明是台積的客戶。講的不清不楚。記
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03/15 09:12, 3年前 , 33F
者真的很愛三星
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03/15 09:13, 3年前 , 34F
明明講三星。卻是台積電開始。台積電結尾。還是記者
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03/15 09:13, 3年前 , 35F
太愛台積電了
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推
03/15 10:25, 3年前 , 36F
容量256Gb，面積56平方毫米
03/15 10:25, 36F
推
03/15 12:58, 3年前 , 37F
讚歐，是不是最後只能做1台呢？
03/15 12:58, 37F
推
03/15 15:47, 3年前 , 38F
記憶體圖片難度本來就小 邏輯部分才是難點 三爽放S
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03/15 15:47, 3年前 , 39F
RAM 業內來看就是避重就輕騙外行人 他們3nm目前還
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03/15 15:47, 3年前 , 40F
卡在俄勒岡州談判（要人家州政府給8E鎂補助） 建廠
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03/15 15:47, 3年前 , 41F
都還沒一撇 你說明年跟台GG一起量產3nm?
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03/15 15:47, 3年前 , 42F
晶片
03/15 15:47, 42F
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