[評價] 110-1 胡振國 金氧半電容元件
※ 本文是否可提供臺大同學轉作其他非營利用途？（須保留原作者 ID）
（是／否／其他條件）：否
哪一學年度修課：110-1
ψ 授課教師 (若為多人合授請寫開課教師，以方便收錄)
胡振國教授
λ 開課系所與授課對象 (是否為必修或通識課 / 內容是否與某些背景相關)
電子所、電機所 選修
δ 課程大概內容
1.PH:金氧半物理 (MOS Physics)
2.CV:金氧半電容特性 (MOS CV Characteristics)
3.IT:界面陷阱特性 (Interface Trap Characteristics)
4.SO:矽及氧化層特性 (Si and Oxide Characteristics)
5.FET:金氧半場效電晶體(MOS Field Effect Transistor)
6.OTB:氧化層電荷抓陷及崩潰(Oxide Trapping and Breakdown) (17、18 彈性教學)
Ω 私心推薦指數(以五分計) ★★★★★
想了解半導體元件特性： ★★★★★
討厭背公式： ★★
η 上課用書(影印講義或是指定教科書)
老師手寫講義，主要是整理Nilollian、Tsividis(同Ceiba)，也包含很多paper。
這學期全線上，所以都是把電子檔放在網路上供下載。電子檔裡面包含老師已經
劃好的重點跟補充內容，有種在讀全校第一名的精美筆記的感覺XD
μ 上課方式(投影片、團體討論、老師教學風格)
實體上課+同步直播，不錄影。感覺老師滿用心在教學上的，雖然是線上上課
但感覺課程品質還是滿好的。老師也很耐心回答同學的大小問題。
老師常說他不趕進度，而且哪邊是重點、哪邊可以看過有印象就好，上課都會
很明確地說出來，加上講義又是自己寫的，所以上課節奏很流暢。
σ 評分方式(給分甜嗎？是紮實分？)
個人覺得涼度普通，給分很甜
期中、期末考卷都是老師自己改，扣分扣得很少。期末考有一題公式背錯，導致接連
五個小題算出來的數字都錯，結果只被扣了5分。完全不敢相信自己值得這個分數XD
ρ 考題型式、作業方式
4次作業、期中考、期末考
作業都是翻講義就能找到的公式，不太需要花時間想或上網找資料。考試大部分都
考作業內容，或是上課講「這個一定是必考題」的地方，所以好像也不用花太多時
間準備。前兩次作業需要用程式簡單的跑一下公式，大概20行內而已。
雖然講起來好像很簡單，也不會考上課講的推導，不過公式的確是有點多。但背起來
之後就只剩下按計算機而已了。
ω 其它(是否注重出席率？如果為外系選修，需先有什麼基礎較好嗎？老師個性？
加簽習慣？嚴禁遲到等…)
不注重出席率，不過我覺得因為講義是老師濃縮兩本書的精華後再自行編排，所以
如果自讀的話效果會打滿大的折扣。後來還是努力在早九醒來。
這門研究所的選修好像也有滿多大學部的學生來修。建議是具備一點固態電子學的知識
再來修會比較有概念。例如期中考以前有滿大的篇幅在講flatband voltage如何受到
其他電荷的影響、C-V curve的意義等；期末考內容則包含Vt variation、radiation、
body effect、SCE等。對於固態電子學有點基礎認識的話，才不會覺得這堂課一直在
背公式，而是可以從這些公式推導中找到一點樂趣。
老師真的很和藹慈祥，印象中每次看到老師都是笑容滿面，真的很厲害。這堂課上限
80人，但依稀記得U meeting人數+現場好像有到100多人過，所以應該是全簽吧。
Ψ 總結
修完固電或對奈電想要多一點的了解，這門課滿適合當作入門課之一。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.112.217.6 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NTUcourse/M.1643520390.A.B14.html