[評價] 109-1 陳信樹 記憶體電路設計概論
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（是／否／其他條件）：是
哪一學年度修課：109-1
ψ 授課教師 (若為多人合授請寫開課教師，以方便收錄)
陳信樹教授
λ 開課系所與授課對象 (是否為必修或通識課 / 內容是否與某些背景相關)
電子所、電機所、生醫電資所選修
δ 課程大概內容
以下來自課程大綱。
1. Introduction
2. 揮發性記憶體 (Volatile memories)
甲、SRAM記憶單元的基礎操作原理 , 陣列 /先進技術 , FinFET SRAM
乙、DRAM記憶單元的基礎操作原理 , Embedded DRAM技術
3. 非揮發性記憶體 (Non-volatile memories)
甲、ROM
乙、Flash記憶體單元 , 陣列架構 , 進階技術
丙、OTP (One-time Programmable)/MTP
4. 記憶體讀取和控制電路, Sense Amplifiers
5. 記憶體周邊電路及解碼器 (Address Decoders) 架構
6. 前瞻記憶體 (Emerging Memories)技術
7. Memories Yield and Design for Manufacturing (DFM)
Ω 私心推薦指數(以五分計) ★★★★★
喜歡半導體製程 ★★★★★
喜歡不用出席的課 ★★★★★
需要畢業學分 ★★★★★
喜歡助教在 Office Hour 去排 iPhone 12 ★★★★★
喜歡作業跟上課內容完全沒關係 ★★★★★
η 上課用書(影印講義或是指定教科書)
“VLSI Memory Chip Design” by K. Itoh, Springer 2001.
“Advanced Semiconductor Memories: Architectures, Designs, and Applications
”, by A. K. Sharma 2002.
"VLSI-Design of Non-Volatile Memories”, by G. Campardo, et al. 2005.
課程大綱推薦的，用不太到
μ 上課方式(投影片、團體討論、老師教學風格)
投影片上課，今年邀請到清大的張教授來授課，課程內容多半在講摩爾定律和半導體製程，還有推薦你去台積電。整個學期下來幾乎沒有講到電路設計的任何東西。課程有一部分會錄影上傳到 NTU Cool 上，另一部分因為張教授怕會不小心透漏商業機密就不錄了。整體來說每週都像是演講課，彷彿一學期內修了三個專題演講。
σ 評分方式(給分甜嗎？是紮實分？)
Midterm (25%)
Final Examination (45%)
Project (30%)
課程大綱上寫的。最後大概沒調分，紮實分，有6/34的人A+，1/34的人B-，這學期沒有當人。
ρ 考題型式、作業方式
期中考有寫有分，題目跟上課內容關聯性未知。寫錯都有分。歡迎大家來體驗。
三次作業都是請你設計電路，助教會提供工作站和模擬的教學檔。
第一次作業是 6T SRAM，第二次是 Sense Amplifier，這兩次是請大家設計電路並量一些參數，最後要 Layout，但不用做 post-sim。
第三次作業是提供一個現成的 SRAM Array 讀寫系統和週邊的控制電路，助教說只要簡單調 size 就可以了，但事實上裡面 bug 很多，檢查裡面也是要花一點時間。
不過下次開課可能作業形式會不一樣，大家可以簡單參考就好。
ω 其它(是否注重出席率？如果為外系選修，需先有什麼基礎較好嗎？老師個性？
加簽習慣？嚴禁遲到等…)
不點名。如果本來就有電路模擬環境，寫作業可能會比較順。當然從零開始學也可以，這門課帶你從 pre-sim 做到 layout，賺。
Ψ 總結
這門課其實沒太著墨於電路設計，不過對半導體設計和製程演進有興趣的同學還是可以來修修看。
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