Re: [情報] 物理冶金
hi，我發現我上禮拜好像忘記在板上寫作業的相關問題了＠＠
所以現在就兩個禮拜的問題一起解決好了。
成績就一樣的連結，麻煩大家檢查一下有無遺漏。
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1. 上禮拜最大的問題就是，作業第三題，解釋為什麼BCC當中的{100}不能繞射而
{200}才能繞射。
大部分的人寫的並不清楚。(就是被我寫 not clear 的那些)
這個論述要說清楚的話，需要包含這兩個條件：
1. 晶格是BCC，即unit cell中心還有一個原子；
2. diffracting plane {100} 處於繞射狀態時，{200}會剛好跟他相消。
最好的論述，是畫出圖來說明。
最常見的錯誤論述是：
不指名平面，直接說，d是建設性干涉時，d/2剛好會是相消性干涉。
這個論述錯在不完整。想想看，那{200}是繞射時，為什麼不會被{400}消掉呢？
2. 這禮拜最大的問題則是在第二題畫繞射圖形。
電子繞射是在「同一個'zone'下的plane」發生，
所以簡單來說，就是第一題中，(110) 立體投影圖那個基底大圓上的pole，
才會發生繞射。
這就是為什麼老師一開始會一直強調zone的觀念，因為電子繞射就是
"planes of a zone" 下發生的。
而電子繞射會在同一個zone發生，
最主要原因則是因為穿透式電子顯微鏡，螢光幕的所能取得範圍很小很小。
所以「通常」都只看得到同一個zone的繞射點。
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這兩題還滿像老師會出的題目的(爆)，
所以我會比較嚴格一點。麻煩大家弄懂囉！
有問題再問我！
-Yuting
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
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※ 編輯: la05yuting 來自: 140.112.32.235 (10/28 11:23)
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