交大電子新生訓練前的考試
我同學他門實驗室 在新生訓練前 還出了個小考試
針對電子所的 雖然我門是光電方面
大家有興趣可以看看 呵呵
滿多基礎觀念的QQ 答案下次我再把它寫出來 (我也沒有答案> <)
1.
在DRAM(dynamic random -access memory)中，其中包含一個MOSFET和一個電容，
MOSFET就像一個開關可以控制訊號的讀寫，而電容則可儲存電荷，及電容會有一個高電位
與一個低電位，相當於logic0或logic1，即有記憶的功能。在元件需要越做越小，電容值
卻需要越大越好，所以
(a) 請分別討論ε(dielectric constant)與A(area)要越大或越小越好?
(b)在電磁學中D=εE , ε=εrε0 可以稍微解釋一下ε的意義嗎? higk-k,low-k
的材料的研究領域中，所指的k值即為εr。
2.
ε：為介電係數 εr：為相對介電係數 ε0：為介電常數
定義介電常數：對任何介電物質，都以真空狀態下的介電係數作為比較基礎。
在真空中 相對介電係數是1 所以此時是相同的不同的介質 相對介電係 數就不同 所以
介電係數就不同通常這個東西是用來看電磁波在這個介質行進中的情況。
(c)最小的k值為多少?是什麼?
(d)trench 式電容為往下挖 除了往下挖 為了改變電容值還有哪一種方法?
(hint: 往下挖就像蓋地下室)
3.
(a) 何謂n-type p-type semiconductor
(b) 何謂空乏區?
(c) 空乏區裡面有電子電洞嗎?為什麼?
(d) 空乏區造成一電位差 請問他可以當電池使用嗎?為什麼?
(e) 逆向偏壓越大空乏區會越大或越小? 為什麼?
4.
一NMOSFET
試用簡單的機制(正電吸電子 ，負電吸電洞,也可說負電排擠電子產生電洞)
(a) 討論Vt(臨限電壓)會與oxide layer 的厚度的關係是越厚Vt越大還是越厚Vt越小?
(Hint: 定義Vt就是要把p-type substrate濃度ex: 1018/cm3 反轉成n-type濃度ex:
1018/cm3 )
(b)討論Vt 與p-type substrate 濃度之間的關係是濃度越濃Vt越大還是越小?
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