[情報] 06/17 LED 晶粒和元件效能提升電腦輔助 …
98年06月17日(星期三)於「台北文化建國本部」
下午13:00至16:30 (13:00~13:30開始報到)
特邀國外原廠人員來台舉辦《LED 晶粒和元件效能提升電腦輔助工程計算分析軟體》
希望屆時邀請您蒞臨指教! !(名額有限，請儘速報名唷!!)
報名表
http://www.pitotech.com.tw/register/980617-LED.xls
寄回
pitotech@mail.pitotech.com.tw
到時期末考考完的可以去聽看看～
==============================================================================
課程簡介：
LED 產業是政府大力推廣的兆元產值的產業，台灣具有整個完整的產業鏈，從半導體材料
，晶粒製作和元件封裝測試，到模組建置和應用產品的整合，以內外銷市場堆廣，台灣都
具有很高競爭力，另外LED 更是綠色能源的重要產業，更以LED取代白熾燈的照明商機最
夯。
經濟部能源局也宣布，將在2009年第1季全面淘汰白熾燈泡，採用LED照明，預計2010年起
陸續停產白熾燈，2012年底將全面禁止白熾燈泡。本次研討會主題將討論如何利用STR 軟
體，提升LED發光效率，最佳化LED 的半導體晶粒架構和元件的熱傳效應與電性I-V 模擬
，以及光追跡的光學模擬計算。
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
課程效益：
SimuLED是多尺度的LED建模分析軟體，包含三個分析工具：SiLENSe、SpeCLED與RATRO，
以精確的飄移擴散模型，描述主動區載子傳輸與結合現象，經由歐姆定律分析接觸層的電
流分佈。
SimuLED依據物理定律進行快速模擬，熱傳現象與自發熱效應的能由軟體進行分析。
建議參加對象:
‧欲從事 LED/LD 產業人員
‧LED/LD 晶粒與元件RD 研發工程師
‧LED/LD 研究單位
‧LED/LD 研究生
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
‧主辦單位：皮托科技股份有限公司
‧講師簡介：Dr. Mark S. Ramm was borned in 1961, in Leningrad, USSR (Russia)
1984/04 - 1986/04: Research Assistant in Laboratory of Numerical Simulation
at the A.F.Ioffe Physical-Technical Institute of RAS, Leningrad, Russia.
1986/04 - 1990/04: Junior Researcher.
1990/04 - 1994/01: Research Scientist.
1994/01 - 2006/04: Senior Researcher
2006/05 - 2008/12: Head of Software Department at Soft-Impact, Ltd.,
St.Petersburg, Russia
2009/01 - Product Line Manager at STR Group, Ltd., St.Petersburg, Russia.
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
議程：
時間 Agenda
13:00~13:30 報到
13:30~14:00 simuLED 多尺度的LED建模分析軟體
14:00~14:30 SiLENSe 是主動區一維電子/電動注入的漂移擴散分析工具，考慮放射與寄
生非放射結合現象。晶片p-n接面的偏壓與電流密度關係，計算內部量子效率、發射光譜
、異質結構載子分佈等重要特性。是晶粒結構的設計最佳化與虛擬能隙設計工具。
14:30~14:50 Break Time
14:50~15:20 SpeCLED 分析整體晶片的三維電流與溫度分佈，使用SiLENSe的模擬結果來
描述作用區電流，預測遠離主動區的中性接觸層歐姆電性行為
15:20~15:50 RATRO 模擬三維光跡追蹤，分析LED晶粒的光傳播、光吸收與取光現象。使
用SpeCLED產生的LED主動區發光強度資訊，計算光強度分佈、遠場分佈，光萃取率、總發
光量等晶片整體特性
15:50~16:20 範例研究
16:20~16:30 問題討論
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 123.204.180.39
※ 編輯: onixky 來自: 123.204.180.39 (06/06 01:12)