實驗週一下午第一組數據
BJT A(6.5 , 21.98) B(3.5 , 21.45)
IC(mA) IE(mA) VA(V) β
21.72 21.85 -120 173.76
gm(mA/V) rπ(kΩ) re(Ω) ro(kΩ)
868.8 0.2 1.144 5.525
PMOS A(-12 , -4.599) B(-9.5 , -4.342)
ID(mA) Vt(V) VA(V) ro(kΩ) K(mA/V2) gm(mA/V)
-4.287 -0.21 32.7 7.628 -0.1 1.4808
NMOS A(6.5 , 6.372) B(11.5 , 6.453)
ID(mA) Vt(V) VA(V) ro(kΩ)
6.419 0.005 -391 60.91
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