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研究生: 林健銘
研究生(外文): Jian-Ming Lin
論文名稱: 氣態源分子束磊晶成長銻砷化鎵/砷化鎵量子井之模型
論文名稱(外文): Growth Model of GaAsSb/GaAs Quantum Well by Using Gas Source
Molecular Beam Epitaxy
指導教授: 王維新
口試委員: 胡振國、彭隆瀚、王子建、林晃巖、黃鼎偉
學位類別: 博士
校院名稱: 臺灣大學
系所名稱: 電子工程學研究所
論文出版年: 2011
畢業學年度: 99
語文別: 中文
論文頁數: 68
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◆ From: 140.112.33.144
※ 編輯: opqr1984 來自: 140.112.33.144 (03/16 11:37)
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