[試題] 110-2 魏拯華 特用化半導體元件技術 期末考
課程名稱︰特用化半導體元件技術
課程性質︰選修
課程教師︰魏拯華
開課學院：電資學院
開課系所︰電機工程學研究所
考試日期（年月日）︰111/6
考試時限（分鐘）：take home
試題 :
1. 碳化矽(SiC)晶圓成長方式主要有哪些？請簡述其原理與優點。
2. 在SiC二極體體中，SBD與PiN相比，各自的優點與缺點為何。
3. 比較600V SiC SBD與Si PiN diode，SiC SBD的主要優點為何？
4. 為何SiC晶圓可以做出半絕緣基板(semi-insulating)，但是Si晶圓不行？製作半絕緣
SiC的方法有哪些(列2個)？
5. 何謂polytype？因為SiC有200種以上的polytype，請問要用何種技巧才能達成
單一polytpye 的晶圓與磊晶層成長。
6. SiC的晶體缺陷主要有哪些？哪一些是屬於killer defect?
7. 為何SiC之implantation製程需要在高溫下做植入？
8. 在一個理想P+/N-結構中，如果要設計崩潰電壓VB＝1200V元件，請問在使用SiC、Si晶圓下，
N-區的最高可摻雜濃度以及最低N-磊晶厚度是多少？
9. 在SiC power MOSFET中，DMOSFET與UMOSFET的主要差異點是為何？
UMOSFET的優點(跟DMOSFET相比)為何？
10. SiC MOSFET中 channel mobility為何比較差？以閘極絕緣製程來看有無改善方法？有的話簡述。
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