[試題] 110-2 魏拯華 特用化半導體元件技術 期中考
課程名稱︰特用化半導體元件技術
課程性質︰選修
課程教師︰魏拯華
開課學院：電資學院
開課系所︰電機工程學研究所
考試日期（年月日）︰111/4
考試時限（分鐘）：120
試題 :
1. 說明GMR/TMR兩種磁阻元件之機制差別，以及優缺點(各列兩個)
2. 寫出在MRAM device中 Field write / STT / SOT 三種元件之機制差別，以及優缺點(各列兩
個)
3. 說明鐵磁、反鐵磁、非鐵磁三種材料的差別
4. 在MRAM或磁性元件中，影響元件詞特性的能量項目有哪些(至少寫出三項)?其中作用距離較
短的是哪一項?
5. 當好的MTJ薄膜被圖形化變成MTJ cell後，MTJ cell的H_in、H_c數值是否有變化?如果有，原
因為何?如何改善?
6. 當MRMA由室溫降到低溫時，TMR與寫入電壓會如何變化?原因為何?升高TMR與寫電壓會如
何變化?
7. 影響MRAM的Thermal Stability Factor主要參數為何?只有free layer材料種類、厚度、組合可
以變動時，如何增加Thermal Stability Factor?
8. 寫出下圖之五種點各自代表所完成之MRAM呈現哪種效應或特性，並針對其做簡單說明。
https://imgur.com/a/mP54Dn4
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※ 編輯: fafeiwen (140.112.217.4 臺灣), 05/31/2022 10:32:18