[問題] 請問一般溝槽,TBO是如何做出來的呢

看板NEMS作者 (感受到 鄉民的正義了~~)時間4年前 (2020/05/23 03:28), 編輯推噓0(0推 0噓 8→)
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各位先進, 想請教製程問題 某些元件於結構上, 需在溝槽底部做出厚厚一層oxide (俗稱TBO) 有什麼方式, 可以做出此結構呢? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.231.106.24 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1590175719.A.13A.html
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05/23 16:29, 4年前 , 1F
就小弟淺顯的瞭解, 一般在8" wafer製程上
05/23 16:29, 1F
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05/23 16:31, 4年前 , 2F
會先沉積SiNx做stop layer,再用HDP-CVD將溝槽填滿
05/23 16:31, 2F
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05/23 16:32, 4年前 , 3F
接著會用CMP回磨oxide,停在SiNx stop layer上
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05/23 16:33, 4年前 , 4F
最後才將SiNx去除, 不過這是8" wafer常用的手法
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05/23 16:33, 4年前 , 5F
若是6"以下, 通常沒有HDP-CVD & CMP的機台
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05/23 16:34, 4年前 , 6F
所以可能須開發其他製程, 才能做到, 故想請教, 謝謝
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05/24 01:22, 4年前 , 7F
抱歉,少說了一段,oxide停在SiNx上,再做etching back
05/24 01:22, 7F
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05/24 01:23, 4年前 , 8F
至所需的TBO厚度, 才會將SiNx去除
05/24 01:23, 8F
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