[問題] 請教半導體材料fundemental物理量的問題

看板NEMS作者 (感受到 鄉民的正義了~~)時間4年前 (2020/05/23 03:21), 編輯推噓2(2推 0噓 4→)
留言6則, 2人參與, 最新討論串1/1
各位先進, 小弟學識淺薄, 想請教半導體元件物理, 常看到的一些物理量是如何得出來的 主要有 : (1) bandgap (能隙/能帶) (2) electron effinity (電子親和力) (3) reletive permittivity (相對界電常數, 也就是泛指的k值. 如 higk-k/low-k) (4) intrinsic concentration (本質載子濃度) (5) electron/hole/channel mobility (電子/電洞/通道遷移率) 這是很fundemental的問題, 所以想請教 這些數值是量出來的(如何量), 還是推算出來的呢? (如何推算) 也請各位先進, 為小弟解惑 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.231.106.24 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1590175298.A.670.html
推
06/13 19:06, 3年前 , 1F
(1) 以量測激發光波長求得 (4)(5)用量到電壓電阻推算
06/13 19:06, 1F
→
06/13 19:07, 3年前 , 2F
沒量測經驗不知道很正常，了解這些參數間關係即可
06/13 19:07, 2F
推
05/05 17:28, , 3F
(3).如果我沒弄錯，可以看吸收光譜、反射率、折射率
05/05 17:28, 3F
→
05/05 17:28, , 4F
這些去算，這些東西其實會因入射光頻率而改變，和電
05/05 17:28, 4F
→
05/05 17:28, , 5F
子的極化有關
05/05 17:28, 5F
→
05/05 17:28, , 6F
可以查查看kk relationship
05/05 17:28, 6F
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