BOE會蝕刻Si3N4嗎？

看板NEMS作者 (op Joe)時間4年前 (2019/09/09 18:35), 編輯推噓6(6推 0噓 3→)
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請問各位，BOE（BHF）在室溫下會蝕刻利用pecvd鍍出來的Si3N4嗎？ ----- Sent from JPTT on my iPhone -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.112.44.78 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1568025314.A.1FA.html
推
09/09 22:19, 4年前 , 1F
會 泡夠久會全部蝕刻掉 泡很短時間會蝕刻不完全
09/09 22:19, 1F
→
09/09 22:19, 4年前 , 2F
表面看起來爛爛的 SiO2, Si3N4都類似
09/09 22:19, 2F
推
09/11 18:31, 4年前 , 3F
會 而且速度很快
09/11 18:31, 3F
推
09/11 23:55, 4年前 , 4F
......我就說會啊
09/11 23:55, 4F
→
09/19 12:14, 4年前 , 5F
我看有些資料寫室溫下1nm/1min啊……
09/19 12:14, 5F
推
09/24 00:56, 4年前 , 6F
理論上品質好的話是不會被蝕刻掉 通常識破洞
09/24 00:56, 6F
推
09/24 00:56, 4年前 , 7F
造成BOE滲到氮化矽跟矽的介面而造成peeling
09/24 00:56, 7F
推
05/23 02:30, 5年前 , 8F
PECVD的SiNx具有多孔性(較鬆散),故BOE易滲漏peeling
05/23 02:30, 8F
→
05/23 02:31, 5年前 , 9F
而LPCVD的SiNx較緻密,通常還是以熱磷酸去除
05/23 02:31, 9F
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