[問題] RIE 蝕刻底切Si

看板NEMS作者 (超級小磨菇)時間6年前 (2017/12/28 20:37), 編輯推噓3(3推 0噓 0→)
留言3則, 2人參與, 7年前最新討論串1/1
我元件目前是用SiO2當阻擋層 下方是SOI,我想用RIE的undercut特性蝕刻， SiO2阻擋層寬度為5um,厚度250nm 想把下方Si蝕刻到寬度剩0.7～1um. 我們RIE可以用的氣體為CF4和O2 可調的參數為RF Power/氣體流量/真空最極限約為50mTorr. 查到資料是說CF4:O2=4:1時，Si和SiO2有最佳選擇性.但我實驗後結果不佳，且左右側蝕 的沒有很平均，且SiO2阻擋效果不佳. 想問問有沒有人可以提供想法. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.117.247.118 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1514464679.A.991.html
推
01/02 12:22, 7年前 , 1F
CF4吃二氧化矽阿
01/02 12:22, 1F
推
01/02 12:23, 7年前 , 2F
你應該用SF6吃矽才對
01/02 12:23, 2F
推
04/22 19:46, 7年前 , 3F
CF4算是甚麼都會吃吧 用SF6或HBr吧
04/22 19:46, 3F
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