小弟我在做SU-8的曝光顯影製程
想做出梯形結構 但已經卡了很長的時間沒進展
快走投無路 因此上來請教各位大神
我使用的是SU-8 3035混合SU-8 2000不同比例控制厚度
基板則是4吋Si
使用10~50μm都有的方形光罩
目標做出20μm梯形結構
流程主要參考datasheet資料
清洗Si用硫酸雙氧水3:1->沖水吹乾烤箱
spin:500or1000rpm 10s
3000rpm 30s
軟烤:95度C 10min
曝光:曝光機功率~120W
曝的時間我會試10~40s不等
PEB:95度C 1min
顯影:時間會試5~13min不等
定影:沖IPA後吹乾
硬烤:95度C 10min
現在在試升高溫度能不能變形成梯形
可惜目前還沒成功
量測的話是用SEM看90度圖形
目前做出來的幾乎是90度長方形甚至有的還變倒梯...
查了一些文獻是說 增加曝光時間,增加顯影時間,上升硬烤溫度
是可以變梯型的方法
但我是朝這方向在做 很疑惑到底是怎麼變微倒梯的
希望各位給我一些建議指教!
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※ 編輯: GE1000 (111.249.173.199), 07/22/2017 23:30:20
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07/23 00:34, , 1F
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這我也有聽說 現在在想是不是顯太久 過顯把梯形的地方顯掉了
※ 編輯: GE1000 (111.249.170.39), 07/23/2017 09:50:25
推
07/23 12:09, , 3F
07/23 12:09, 3F
→ cupidboy: 你試試不要PEB吧
最近試幾片了不PEB都沒成功，因為會看不到圖形，要抓很準確的顯影時間
推
08/03 00:29, , 4F
08/03 00:29, 4F
請問下限指的是datasheet給的最低曝光與顯影時間的意思嗎？
※ 編輯: GE1000 (111.249.170.90), 08/04/2017 00:04:31
※ 編輯: GE1000 (111.249.170.90), 08/04/2017 00:08:52