[問題] TiO2蝕刻問題
小弟的實驗是在Si基板正反兩面鍍上不同厚度的TiO2,然後做成MIS結構做CV量測
有幾個問題想請教版上各位大大使用哪種方法來蝕刻會比較好
方法1.先在基板正面旋塗上光阻再烤乾,接著使用49%的HF來蝕刻
方法2.使用RIE做蝕刻但不確定該通甚麼氣體
請問各位大大小弟的方法可行嗎?
煩請各位指教
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