[問題] 薄型光阻.PMMA
現在正在使用奈米壓印 結構為100nm直徑 深度100nm
所使用的是TU2-120的UV型光阻
因為之後要lift off
所以會在基板(ZnO)和壓印光阻TU2-120之間在上一層可以使用丙酮或非酸鹼溶液洗掉的
lift off 層
之前基板是GaN時都是用SiO2當lift off層 可以用BOE洗掉
但現在因為基板怕酸鹼 所以要改這層的材料
目前想到的就是SU8 以及PMMA
聽學長說SU8可以稀釋到100~500nm 而PMMA目前還在查資料 希望有強者版友可以協助>"<
謝謝!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.4.195
推
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