[問題] su-8氣泡去除問題

看板NEMS作者 (天佑台灣~)時間12年前 (2012/04/16 03:12), 編輯推噓3(3016)
留言19則, 3人參與, 最新討論串1/1
如題 最近在仿造學長製作SU-8微流道 不過遭遇問題是旋塗後表面會不均勻 經過這陣子的詢問過後 比較確定是因為SU-8氣泡所造成的 不過以往都是以針頭把表面可見氣泡去除後依然會造成失敗 在進行抽真空後發現 似乎有不少肉眼無法看見之氣泡存在不少 持續抽真空的情況之下 氣泡反而越抽越多... 目前老師絕得是SU-8變質造成氣泡過多問題... 不過要買新的SU-8畢竟不是容易事 請問各位有什麼解決方法嗎!? 剛才在網路上找到利用65度加溫去讓SU-8短暫液化使氣泡消除的方法 不知道能否採信~~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.135.64.36

04/16 07:52, , 1F
請問你是原本SU8就很多氣泡,還是倒在substrate後產生的?
04/16 07:52, 1F

04/16 07:56, , 2F
另外你要的SU8高度是多少?不均勻的話,高低差多少?
04/16 07:56, 2F

04/16 08:06, , 3F
有篇paper在厚膜上移除氣泡,Lab Chip, 2011, 11, 1679
04/16 08:06, 3F

04/16 08:10, , 4F
看看能不能參考~
04/16 08:10, 4F
預計旋塗7um左右,佈過該光阻提供的厚度範圍是15um~200um 因此參考學長論文以5000rpm轉150秒來旋塗 氣泡則是在塗到基材(矽晶圓)上之後才出現 在塗上之前我會先再旁邊先擠出一小段棄置 才塗在基材上 塗上去之後氣泡就隨著出現了 再以針頭去除肉眼可見之氣泡 不過由於黏度很高所以不太容易去除 ※ 編輯: smdra 來自: 163.13.136.152 (04/16 18:48)

04/16 20:38, , 5F
抽真空的壓力值是??
04/16 20:38, 5F
之前是用真空球直接一直抽 所以沒有數字依據

04/16 21:27, , 6F
我軟烤(65和95度C)55um和100um時,氣泡還是不動,前面提
04/16 21:27, 6F

04/16 21:31, , 7F
的paper它是加熱時用玻璃dish蓋住整個wafer,烤65度C 30分
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04/16 21:33, , 8F
目的是讓solvent不要太快從PR跑掉,所以你打算加熱的話
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04/16 21:34, , 9F
加個罩子可能才有效...另外你泡泡真的很多嗎?我做薄的
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04/16 21:36, , 10F
說錯,應該我從瓶子倒PR到wafer上時,氣泡個位數顆,就
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04/16 21:37, , 11F
曝光時,pattern不要在上面就好XD
04/16 21:37, 11F
剛倒入晶圓上時也是個位數個氣泡 如果把這些氣泡直接用針頭刺破後 在旋塗過後依然會因為氣泡問題旋塗失敗 因此在下一次旋塗前才拿去抽氣泡才發現很多前面肉眼看不到的氣泡 因為表面有氣泡會影響旋塗表面平均度問題 所以才一直沒進行下個步驟 根據你的方法如果我旋塗前先用65度加熱SU-8以及同時利用真空烤箱抽真空有搞頭嗎 昨天在網路上看到SU-8處於55度以上時會較液化(不黏) 此時抽真空造成的效果是否會較佳?? ※ 編輯: smdra 來自: 163.13.136.138 (04/16 22:14)

04/16 22:54, , 12F
旋塗完放置一段時間看看??
04/16 22:54, 12F

04/17 00:11, , 13F
一直抽是會產生很多氣泡,建議抽真空到一定的氣壓值等待
04/17 00:11, 13F

04/17 00:11, , 14F
氣泡自己破掉,但時間跟壓力值需要自己抓...
04/17 00:11, 14F

04/17 09:04, , 15F
抽真空的確很常用來移除氣泡,不過這樣solvent不就被吸走
04/17 09:04, 15F

04/17 09:06, , 16F
了,不清楚這樣是否會讓PR流動性較差,氣泡更難移除
04/17 09:06, 16F

04/17 09:07, , 17F
原PO要不要先切破片,用玻棒像攪麥芽糖方式,取少量到破片
04/17 09:07, 17F

04/17 09:10, , 18F
做各種測試。但如你要加熱+抽真空,除非你真空chamber有加
04/17 09:10, 18F

04/17 09:12, , 19F
熱設備,不然預先烤熱的PR一下就冷了(5分鐘內回RT?)
04/17 09:12, 19F
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