[問題] 詢問沉積5微米厚的二氧化矽注意事項

看板NEMS作者 (暫無)時間13年前 (2011/07/13 13:35), 編輯推噓10(10推 0噓 4→)
留言14則, 9人參與, 最新討論串1/1
小弟想要嘗試用E-BEAM沉積二氧化矽於矽晶圓上,厚度約5微米. 想要問一下板上大大是否有人有過用E-BEAM加熱二氧化矽來沉積? 若有,我需要調整的參數或是注意事項為何? 我還蠻擔心到時二氧化矽層會裂開或脫落這種常見的現象會發生, 至於薄膜品質這倒是其次.還望板上強者能替小弟解惑,感謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.38.245
推
07/13 20:47, , 1F
在北微用嗎？如果是的話1.膜厚計要用新的2.tooling值請
07/13 20:47, 1F
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07/13 20:48, , 2F
詢問好心的北微人員3.我看你這要鍍很多次喔因為鍍二氧
07/13 20:48, 2F
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07/13 20:49, , 3F
化矽很燒靶材，一次放個兩三鍋吧。這個也先問問北微人員
07/13 20:49, 3F
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07/13 20:50, , 4F
品質跟真空度相關所以盡可能隔夜抽真空吧
07/13 20:50, 4F
推
07/13 20:52, , 5F
我的經驗是兩鍋的靶材鍍6000A就很拚了
07/13 20:52, 5F
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07/13 22:56, , 6F
用爐管長應該比較適合
07/13 22:56, 6F
推
07/14 02:50, , 7F
兩鍋600nm 5um要16鍋.........XDDD
07/14 02:50, 7F
推
07/14 02:51, , 8F
我也想說要用爐管長比較對......
07/14 02:51, 8F
推
07/14 08:11, , 9F
都用Si wafer了竟然不用thermal oxide
07/14 08:11, 9F
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07/16 08:37, , 10F
因為有一道製程是在已鍍銅薄膜上的基材進行...so...
07/16 08:37, 10F
推
07/17 11:42, , 11F
Bonding?
07/17 11:42, 11F
推
07/17 12:48, , 12F
PECVD較快
07/17 12:48, 12F
推
07/25 23:08, , 13F
推 CVD, 這應該才是正解
07/25 23:08, 13F
推
07/29 20:08, , 14F
這篇文章看到學長和同學的感覺真是奇妙～
07/29 20:08, 14F
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