[問題] Si/SiGe HBT InP based InGaAs/InAlAs HEMT

看板NEMS作者 (ii)時間14年前 (2010/05/09 22:16), 編輯推噓0(0推 0噓 3→)
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如題 想要請問一下 當看到有這樣子寫的時候 Si/SiGe HBT意思是 誰當base collector或是emitter呢? 如果是InP-based InGaAs/InAlAs HEMTs 又是什麼樣子的情況呢 實在看不懂這樣的簡寫耶 可以請知道的人回一下嘛 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 128.227.13.88
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05/12 09:00, , 1F
HBT: Si-Emitter, SiGe-Base ; InGaAs-Channel
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05/12 09:00, , 2F
InAlAs - barrier
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05/13 05:26, , 3F
thx
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