[問題] 請問AOO大範圍陽極氧化鋁的製作

看板NEMS作者 (黑帝斯)時間15年前 (2009/07/19 01:05), 編輯推噓5(5推 0噓 8→)
留言13則, 3人參與, 最新討論串1/1
由於小弟最近要做大面積陽極氧化鋁的製作 可是有些地方卡住了 應該說有些小動作沒處理 翻找過前人的相關論文 可是都沒有得到答案 想請教有做過此實驗的前人是否能夠給予指導 1. 小弟使用0.3M的草酸 還需要另外加什麼 以便增加電解能力 2. 電解兩端的間距為多少 3. 由於陽極氧化鋁非常脆弱 如何只移除掉底部的氧化鋁 使孔洞能夠上下貫通 目前查到可以使用磷酸 來移除氧化鋁 但是要怎樣做才不會傷到孔洞 4. 變因(電壓 溫度) 來控制孔洞大小及深度 的相關關係 目前實驗還在收集資料的階段 找尋出最佳電壓 溫度 做出規則性較高的氧化鋁薄膜 但一切都只是在紙上談兵 尚未實驗 有請各位前人指教 晚輩在此感激不盡 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.161.38.17
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07/20 14:07, , 1F
你要多大面積阿?....針對你的問題 1.0.3M就足夠~你說電解?
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2.間距大約10cm以內!3.可以做的很強壯阿?你成長參數?
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3.基本上是用飽和氯化汞移除多於的鋁~你的基材式鋁還是矽
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3.原則上孔洞都不會受太大傷害~
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4.變因~~這文獻很多~請多看看~但變因會隨基材改變!
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推
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他的參數很多~可以再討論
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推
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我想問用何種基板當底材較好
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推
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看你的運用~你長的比較好是說孔洞的狀況嗎?
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推
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我是為了要電鍍鎳做AAO的,試過Ti,Cu.Ni都各有問題
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感謝大大的回答 目前選用銅為基底 至於孔洞狀況
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打碎作出規則性較高的排列
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算
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推
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si/ti/al的基底比較好控制~但請注意電流狀況!
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