[請益] 有關材料膜層與晶格常數相關問題 !!

看板Master_D作者 (justin)時間16年前 (2010/03/13 20:47), 編輯推噓2(2015)
留言17則, 6人參與, 6年前最新討論串1/1
各位先進好 小弟剛剛在看資料的時候有想到一個問題 如果有一層薄膜結構假設由FCC退火變成尖晶石(spinel)結構 晶格常數為8 anstron(A) 之後在這之上鍍上一層hcp結構 晶格常數為4 anstron(A) 之薄膜 那這層薄膜有可能因為晶格常數比下層小了將近50% 而使得其陷入到下層晶格中...使得薄膜界面消失..膜厚變薄嗎 ? 因為本人對於這個疑問很不確定...不知是否會有這種情況發生 希望有強者能幫我解答一下.. 如果有參考資料就更好了.. 謝謝 !! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 125.231.103.121

03/14 03:43, , 1F
我反而不能想像要怎麼陷進去...都已經晶體了
03/14 03:43, 1F

03/14 03:45, , 2F
我也不清楚 不過我同學做的兩層就是上小下大
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03/14 07:43, , 3F
晶格常數只是敘述材料週期性的一個參數
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03/14 07:43, , 4F
你要比對兩個晶體結構中單位晶胞的原子數目才對
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03/14 07:44, , 5F
或是更確切的說 你應該要比對的是substrate跟film的密度
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03/14 07:46, , 6F
假如鍍上去是形成coherent boundary 若膜的材料理論密度
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03/14 07:47, , 7F
較基材小一點點 則膜會受壓縮應力 若差再多應該會形成
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03/14 07:47, , 8F
dislocation或stacking fault 應該不會有你講的問題^^
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03/14 10:50, , 9F
樓上應該是對的,頂多在介面形成差排..
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03/14 11:30, , 10F
恩恩...謝謝各位的說明囉 !!
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03/15 02:04, , 11F
阿 誤導人了 講密度是錯的XD
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08/09 18:14, , 12F
恩恩...謝謝各位的說 https://noxiv.com
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09/11 19:02, , 13F
阿 誤導人了 講密度是 https://daxiv.com
09/11 19:02, 13F

09/11 20:31, , 14F
樓上應該是對的,頂多在 https://daxiv.com
09/11 20:31, 14F

10/24 20:16, , 15F
阿 誤導人了 講密度是 https://daxiv.com
10/24 20:16, 15F

12/16 01:11, 7年前 , 16F
恩恩...謝謝各位的說 https://daxiv.com
12/16 01:11, 16F

04/22 16:23, 6年前 , 17F
dislocation http://yofuk.com
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