[請益] 小訊號模型
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學得越多 越覺得本來自以為理論上沒影響 會變成理論上有影響
許多說法有他根據 也有人用簡單理論反駁認為不會有幫助 殊不知背後的修正項
會讓過渡簡化的理論出現差異 符合前人所書會有幫助之處 越發覺得該多多請益
以下是我過渡簡化的想法 請各位前輩幫我指點指點我的盲點
=================正文開始==================
講到BJT FET 真空管放大訊號時 最基本應該會使用小訊號模型來講解這邊原理
http://i.imgur.com/ZAVgdL4.png
FET的大略概念圖
參考tubecad.com的圖片 http://www.tubecad.com/2007/09/21/FET%20curves.png
有個iD對VDS的圖
若一電路如下http://i.imgur.com/jzpOw9A.png
VS=10.4
VDSQ=7.5V iDSQ=~2.9mA
VGSQ=-0.6V=bias voltage
ΔVi=input signal
RL=1000ohm
則做load line analysis可得下圖http://i.imgur.com/7AvlSI3.png
Quiescent point 在紅線與-0.6V曲線交點 當我們VGS在0V到1.2V間移動 也就是說input
signal=+-0.6V時 drain current會由~5.6mA到0.75mA間移動 換算Vo=VS-RLiD
則Vo大概在4.8V~9.65V間移動 達到訊號放大效果
以下是我主要問題:這些取線是廠商提供給我們 不過廠商也有提及期中beta這類的值
會因製程有些許的誤差 如果說本身曲線就不是廠商提供的曲線 那麼在配對電阻的情況
下是不是要考慮每個BJT/FET/真空管本身的特性曲線來說比較方便? 在不知道每個元件
的特性曲線下 配對電阻是否有其意義?
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
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