[理工] 電子學 BJT 反主動區

看板Grad-ProbAsk作者 (dick)時間13年前 (2013/01/28 21:05), 編輯推噓3(305)
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http://ppt.cc/q2v1 (題目 http://ppt.cc/I7Is (答案 想問的是第二小題 解答說Q1在"反主動區" 沒聽過這區... 慘 這區是有什麼特性呢? 另外power dissipated是指消逝的power 所以應該是指Ps - Pl 嗎? 然後這題是沒有load的 所以就直接算Ps就是答案 是這樣嗎? 謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.27.9.85

01/28 21:59, , 1F
沒有負載 功率消耗就是power supply提供的功率沒錯
01/28 21:59, 1F

01/28 22:00, , 2F
我只知道 MOSFET有對稱性 source接最低電壓可以修正
01/28 22:00, 2F

01/28 22:01, , 3F
BJT我就不清楚了...
01/28 22:01, 3F

01/28 22:03, , 4F
反主動以前電子學老師講過 現在卻完全想不起來 只記得大略
01/28 22:03, 4F

01/28 22:36, , 5F
是BE逆篇 BC順篇嗎
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01/28 22:53, , 6F
是的
01/28 22:53, 6F

01/28 23:01, , 7F
你應該不是今年考生吧(汗)
01/28 23:01, 7F

01/28 23:54, , 8F
就是的Q_Q 翻遍筆記找不到反主動區...
01/28 23:54, 8F
文章代碼(AID): #1H1dUq4H (Grad-ProbAsk)