[理工] [半導體]-熱氧化矽、磊晶
Q1.一層厚度80nm的矽薄膜，使用氧化的方式將Si厚度減薄到50nm，需要成長多厚的氧化層?
(該不會就是80-50=30nm吧?)
Q2.磊晶與鍍膜之差異?
(磊晶我知道是在基板上長單晶，所以磊晶也是鍍膜技術的一種嗎?兩者該如何比較差異?)
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 219.85.209.149
推
03/27 22:42, , 1F
03/27 22:42, 1F
→
03/27 22:44, , 2F
03/27 22:44, 2F
→
03/27 22:45, , 3F
03/27 22:45, 3F
→
03/28 11:28, , 4F
03/28 11:28, 4F
→
03/28 11:30, , 5F
03/28 11:30, 5F
推
03/28 14:42, , 6F
03/28 14:42, 6F
→
03/28 14:42, , 7F
03/28 14:42, 7F