[課業] 電子學body effect跟短通道效應的問題

看板Examination作者 (SONG-SONG)時間3年前 (2020/07/30 13:17), 編輯推噓2(2推 0噓 18→)
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Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸 空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大 short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大 通道變短 使閥值電壓(Vt)變小 疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短 一個使Vt變高 一個使Vt變低 問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.76.174.76 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Examination/M.1596086264.A.AAD.html
推
07/30 13:58, 3年前 , 1F
一個是基板不是接地電位 一個是通道因為電壓變大空乏
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07/30 13:59, 3年前 , 2F
區擴增使電子通道長度變短
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阿看錯了 短通道是因為通道尺寸變小所以空乏區的佔比
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相較長通道大 所以會明顯影響Vt
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簡單來說Body effect跟通道尺寸無關 短通道效應在通
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道很小的時候才會比較明顯影響 詳細的還是去看書吧
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Neamen的書寫的算白話也有中譯版了
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07/31 00:31, 3年前 , 8F
謝謝a大 我會再去看書 不過body effect會使空乏區變大
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07/31 00:32, 3年前 , 9F
應該也會影響通道長度才對 這點還是不懂
07/31 00:32, 9F
推
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大概的講法是：
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閘極不只要先能建立空乏區，而且要能控制與它下方整
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個空乏區電荷量相等的電荷，通道然後才能夠建立，因
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此BE越嚴重，Vt值就越大。
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當汲極電壓夠大，汲極控制的空乏區就會深入閘極下方
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跟閘極爭搶MOS的控制。此時元件長度若太短，閘極電
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壓將無法完全控制MOS的關閉，而汲極空乏區夠大，甚
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至延伸至源極空乏區，還導致DIBL，此時無需閘極，橫
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向電場就足以讓汲極直接從源極吸引載子造成漏電流，
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這就相當於是Vt值下降。
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07/31 23:54, 3年前 , 20F
謝謝L大 講法很合理
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