[考題] 電子學 FET電流鏡

看板Examination作者 (nmptr)時間9年前 (2016/10/15 16:03), 9年前編輯推噓5(5推 0噓 12→)
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http://i.imgur.com/ggVYjgR.jpg
像是紅色框框的情況，是要有什麼條件才會使得電流鏡的 Iref=Io 我在想在有無early effect的情況下的差別? 還是fet電流鏡的特性就會將Iref=Io? 請問有沒有人可以解答 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 27.246.69.55 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Examination/M.1476518638.A.B8D.html ※ 編輯: mattw166 (27.246.69.55), 10/15/2016 16:04:22
推
10/15 16:29, , 1F
以印象回答你，如果確定電流鏡的FET完全匹配可以視為
10/15 16:29, 1F
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10/15 16:30, , 2F
一樣的，它的大小變化主要是取取於雙方的K的比例
10/15 16:30, 2F
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10/15 16:32, , 3F
如果為BJT的話因為有BETA效應故再算"純直流"題目時不能
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10/15 16:33, , 4F
視為一樣
10/15 16:33, 4F
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10/15 16:52, , 5F
個人推測兩顆MOS匹配情況下就算考慮額利效應還是會一樣
10/15 16:52, 5F
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10/15 16:53, , 6F
因為匹倍的兩顆MOS特性取線將一致
10/15 16:53, 6F
推
10/15 17:01, , 7F
題目的Q4 = Q3 (也就是 K值 Vt都相同) Io=Iref
10/15 17:01, 7F
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10/15 19:22, , 8F
我已經了解了!!!感謝D大和C大的解析!!!
10/15 19:22, 8F
推
10/15 19:25, , 9F
如果考慮early effect會不一樣（因為Vds不一樣），但是一
10/15 19:25, 9F
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10/15 19:25, , 10F
般來說FET不考慮，而是考慮vt的效應！
10/15 19:25, 10F
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10/15 19:40, , 11F
還有的是，bjt電流鏡為什麼beta趨近於無窮大會使Ic=Ie?
10/15 19:40, 11F
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10/15 19:46, , 12F
還有想問一下，像Y大講的，是在什麼情況下VDS才會想同，
10/15 19:46, 12F
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10/15 19:46, , 13F
我知道因為參雜方式的關係，vt會相同這樣
10/15 19:46, 13F
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10/15 19:47, , 14F
當p sub相同時vA會相同
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推
10/15 22:16, , 15F
BETA趨近無窮大的話Ic=Ie請自行思考alpha跟beta的數學
10/15 22:16, 15F
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10/15 22:16, , 16F
關係式
10/15 22:16, 16F
推
10/15 22:58, , 17F
beta無窮大 alpha趨近於1
10/15 22:58, 17F
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