[問題] 關於增強型MOSFET的飽和區公式

看板Examination作者zzss2003 (brotherD)時間10年前 (2016/01/20 16:35)推噓1(1推 0噓 1→)

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參考圖片:http://i.imgur.com/6rx5sn8.jpg?1 想請問，照片右手邊部分，飽和區的公式是VDS>VGS-VT。我想請問這條公式是怎麼得到的? 那這樣VGS在正常情況下不是都要大於VDS嗎?(N通道) VGS的電壓大於VDS的電壓，這情況對照於左邊的圖片讓我有點不太適應麻煩各位大大指點迷津 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.38.19.60 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Examination/M.1453278907.A.D2F.html

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