[考題] 101年中華電信電子學

看板Examination作者 (Tank)時間12年前 (2014/01/11 13:49), 編輯推噓0(0016)
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[考題] 國考歷屆考題與考題觀念討論(書裡看到的選這個)請附上想法、出處 想請問各位一下電子學的觀念 http://ppt.cc/xBu0 32.對於已矽(Si)為主的PN接面(Junction),下列何者可能為逆向飽和電流值? (1)10的負20A (2)10的負15A (3)10的負10A (4)10的負5A 答案為(2) 出處:中華電信101年電子學 想法:矽的逆向飽和電流值大約為~nA,個人覺得(3)比較合理,不知為何答案為(2) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.44.102.50

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次方可以用^表示哦,例如10^-15 (A),然後我手邊的書寫10^-1
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8 ~10^-12 (A)
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01/11 15:30, , 3F
可以請問q大用那本書嗎,我手邊的書 矽是nA,鍺是uA,是錯
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01/11 15:30, , 4F
的嗎??
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01/11 15:33, , 5F
你手邊的書..該不會是台科大升學寶典那本吧?
01/11 15:33, 5F

01/11 15:37, , 6F
我用常用的BJT接面計算 Ic =1 mA Vt=0.025V Vbe=0.7V
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推算Is為 1 x 10^-15 (A) 左右
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我手邊是Smith 第5版
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打錯 第6才對 @@
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所以鍺的是10^-12嗎??
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我的書上是說典型Is是那在那個範圍,翻了例題矽的Is在25℃
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下大概10^-14 (A)
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鍺我就不知道了抱歉@@
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01/11 20:47, , 14F
好的,謝謝
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01/11 22:58, , 15F
幫你查了一下 鍺大概是 10^-6(A)
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01/11 23:00, , 16F
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