[考題] 幾個電子學歷屆試題問題請教

看板Examination作者 (沙漠之舟)時間12年前 (2013/12/06 20:10), 編輯推噓3(3推 0噓 12→)
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[考題] 國考歷屆考題與考題觀念討論(書裡看到的選這個)請附上想法、出處 關於場效應電晶體(FET)之閘極電容敘述，下列何者正確？【93.地方 五】 (A)與場效應電晶體(FET)閘極之通道長度成反比 (B)與場效應電晶體(FET)閘極之通道寬度成反比 (C)與場效應電晶體(FET)閘極之通道面積成反比 (D)與場效應電晶體(FET)閘極之通道面積成正比 請問這題答案是(D)，是依照甚麼公式作解釋呢？ 如果是依照電容的基本公式，與A成正比，與D成反比，那選項(B)應該也正確才對吧 其他三個題目：http://ppt.cc/vZ7p 11題 題目圖 是增強型NMOS，依題意看，Vgs=0， 所以應該是「在操作過程中會【經過】哪一區吧」，是否題目錯了？ 12題 Id我懂，可是通道電阻我不知道是看甚麼公式，不太懂 14題 這題我不會算 拜託各位了 謝謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.205.116.34
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12/06 20:22, , 1F
Cg=Cox‧A
12/06 20:22, 1F
推
12/06 20:42, , 2F
電容長度是閘極到基極，並非A,B選項所說的汲極到源極的
12/06 20:42, 2F
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12/06 20:43, , 3F
長度
12/06 20:43, 3F
推
12/06 21:59, , 4F
11題我覺得它有誤(感覺)
12/06 21:59, 4F
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12/06 22:16, , 5F
14題是看CA的電壓差，Vgd=5-7=-2，-2跟Vt=1的電位差有3V
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12/06 22:17, , 6F
註：GD通道的長度長短跟Vgd-Vtn有關
12/06 22:17, 6F
推
12/06 22:44, , 7F
12題我是已作用區下去解題，(I)(II)是三極管區，才有
12/06 22:44, 7F
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12/06 22:46, , 8F
壓控電阻之類的，而(III)(IV)是飽和區，當放大器
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12/06 22:48, , 9F
並無聽說當電阻的時候(我的淺見，有高手可以補充
12/06 22:48, 9F
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12/07 11:35, , 10F
12題 (I)(II)電阻比較應該不難理解，通道變窄電子難通過
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12/07 11:36, , 11F
，電阻變大，但是進入飽和區，因為drain電壓太大，把通
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12/07 11:39, , 12F
道的電子吸引走，通道夾止到drain電子通過速度很快
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有點像電阻被剪短，電阻下降
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12/07 11:50, , 14F
包含通道效應的飽和區公式：I=K*(Vgs-Vt)^2*(1+λ*Vds)
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其他條件不變，(IV)Vds較大 I大，等效電阻變小
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