[考題]中華電信102機務類專(四)一 計概&電子學 選擇51 無想法

看板Examination作者 (Cyborg Ring)時間11年前 (2013/07/15 20:32), 編輯推噓5(7推 2噓 10→)
留言19則, 7人參與, 最新討論串1/1
51. 有關加強型金屬氧化半導體的場效電晶體(E-MOSFET)之特性，下列何者正確？ 1.在歐姆區時，具有低電阻的特性 2.在歐姆區時，具有高電阻的特性 3.在作用區時，具有低電阻的特性 4.在截止區時，具有低電阻的特性 答案是1. 有誰可以解釋為什麼? 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.40.230.86
噓
07/15 20:50, , 1F
BJ4
07/15 20:50, 1F
→
07/15 20:56, , 2F
我一直用ro去想 結果猜錯 = =
07/15 20:56, 2F
→
07/15 20:57, , 3F
回錯篇 = =
07/15 20:57, 3F
推
07/15 20:59, , 4F
這題我覺得如果1是對的 那3也不會是錯的吧 3的電流更大阿
07/15 20:59, 4F
噓
07/15 21:06, , 5F
這篇沒噓到! 怒噓!
07/15 21:06, 5F
推
07/15 21:07, , 6F
這題我也推3，作用區電流最大不是R最小嗎QQ
07/15 21:07, 6F
→
07/15 21:08, , 7F
ID-VGS圖自己推 歐姆區為小電阻 作用區ro為大電阻
07/15 21:08, 7F
推
07/15 21:10, , 8F
你可以發在同一篇文章裡 這樣會變成在洗版
07/15 21:10, 8F
→
07/15 21:26, , 9F
這題的電阻特性是指DS端還是GS端????DS的話就是我想的沒錯吧
07/15 21:26, 9F
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07/15 21:28, , 10F
請問ID-VGS圖要怎麼分歐姆區還夾止區?又要怎麼推電阻?
07/15 21:28, 10F
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07/15 21:30, , 11F
打錯了 是ID-VDS
07/15 21:30, 11F
推
07/15 21:35, , 12F
用這圖去想 歐姆區就是從小電流變大電流 何來固定小阻抗呢?
07/15 21:35, 12F
→
07/15 21:35, , 13F
硬要說也是工作區都是大電流才有固定小阻抗吧?
07/15 21:35, 13F
推
07/15 21:37, , 14F
圖形斜率的倒數 你說小電流變大電流 那小電壓不也變
07/15 21:37, 14F
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07/15 21:37, , 15F
大電壓 電阻不就電壓除以電流
07/15 21:37, 15F
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07/15 21:40, , 16F
MOS是壓控元件 電壓改變控制電流改變
07/15 21:40, 16F
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07/15 21:41, , 17F
你把電流一直變大 電壓當不變 當然錯
07/15 21:41, 17F
推
07/15 21:51, , 18F
阿...我錯了 謝謝指正!!
07/15 21:51, 18F
推
07/16 07:40, , 19F
請附上想法 感謝
07/16 07:40, 19F
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