[考題] 中華電信102機務類專(四)第一類 計概&電子學 選擇52 無想法

看板Examination作者 (Cyborg Ring)時間11年前 (2013/07/15 20:23), 編輯推噓1(4推 3噓 16→)
留言23則, 9人參與, 最新討論串1/1
高功率的 MOSFET 元件作為功率級開關使用，欲提高容量可作並聯接線，此RDS(on) 與溫度的特性，下列何者正確？ 1.溫度上升， RDS(on) 變小，汲極電流增加 2.溫度上升， RDS(on) 變大，汲極電流減少 3.溫度上升， RDS(on) 變小，汲極電流減少 4.溫度上升， RDS(on) 變大，汲極電流增加 答案是2. 有誰可以解釋為什麼? 感謝。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.40.230.86
噓
07/15 20:39, , 1F
每題都沒有想法嗎?
07/15 20:39, 1F
噓
07/15 20:40, , 2F
不會發在同一篇喔 賺文章數也不是這樣賺的
07/15 20:40, 2F
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07/15 20:45, , 3F
我想不會有人會慢慢跟你一一解釋MOSFET所有特性
07/15 20:45, 3F
噓
07/15 20:46, , 4F
因為我有背~
07/15 20:46, 4F
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07/15 21:01, , 5F
你三篇文章的問題我全錯
07/15 21:01, 5F
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07/15 21:15, , 6F
溫度越高 發文數越多 所以阻礙越高 電阻越大 ID越小
07/15 21:15, 6F
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07/15 21:18, , 7F
這題我也覺得很有問題
07/15 21:18, 7F
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07/15 21:19, , 8F
T上升 u會下降 所以K下降 I是下降的 所以人說FET不怕熱
07/15 21:19, 8F
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07/15 21:19, , 9F
BJT的話才是I上升 IO上升 所以BJT怕熱
07/15 21:19, 9F
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07/15 21:20, , 10F
要是說是early effect現象又是L下降 I上升
07/15 21:20, 10F
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07/15 21:21, , 11F
怎麼選我都不會選2 電流下降??
07/15 21:21, 11F
推
07/15 22:21, , 12F
mobility 下降沒錯 但都不用考慮Vt嗎
07/15 22:21, 12F
推
07/15 22:26, , 13F
07/15 22:26, 13F
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07/15 22:27, , 14F
其實我昏頭了@@
07/15 22:27, 14F
推
07/16 07:40, , 15F
請附上想法 感謝
07/16 07:40, 15F
推
07/16 07:45, , 16F
看溫度變化Id-Vgs特性曲線圖，他說做數位開關使用
07/16 07:45, 16F
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07/16 07:46, , 17F
如果輸入極大，後半段的曲線斜率會下降，Rds上升
07/16 07:46, 17F
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07/16 07:49, , 18F
Id下降，此時的mobility下降影響比Vt下降影響大很多
07/16 07:49, 18F
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07/16 07:51, , 19F
如果他問的是前半段輸入較小曲線，則結果剛好會相反
07/16 07:51, 19F
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07/16 07:52, , 20F
此時Vt下降影響會比mobility下降影響大
07/16 07:52, 20F
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07/16 16:33, , 21F
所以這答案算有爭議嗎?
07/16 16:33, 21F
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07/16 22:41, , 22F
正確來講應該是他是功率放大器,所以假設是大電壓
07/16 22:41, 22F
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07/16 22:44, , 23F
(Vgs-Vt)^2>>0,可以忽略Vt的影響,只考慮mobility
07/16 22:44, 23F
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