[考題] 電子學/101地特/第2、6題

看板Examination作者 (貓仙人)時間11年前 (2013/01/07 21:36), 編輯推噓5(5推 0噓 15→)
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101地方特考電子學 題目與想法：http://ppt.cc/YHYU 請大大們幫忙指教一下 謝謝!!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.26.223.229
推
01/08 08:11, , 1F
第6題(C)電流變大 所以Vds側壓變小 還是在歐姆區
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所以電流變大的話，VDS變小的速度會比VGS大嘍??? 那R2變大的話，VDS不是也變小了嗎??
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第3題 我覺得Rd要給 不知道對不對
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說錯 第2題
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推
01/08 12:47, , 4F
其實第2題不用過於複雜化
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以元件特性來分析，因為vt=0.5v，又Vcc=2V，Vcm=?
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會使得元件是在飽和的最大值，且此元件是NMOS
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VGD只要=Vt=0.5V即是在飽和的最大值，又Vd=2V，所以
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Vcm最大為1.5V
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01/08 13:07, , 9F
可是rd也會有壓降阿 題目應該要說很小
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推
01/08 14:53, , 10F
題目說最大Vcm應該是自動將rd歸類為最小了。
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01/08 14:54, , 11F
不然如何會有最大Vcm?
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01/08 15:35, , 12F
看來這裡的最大是指所有的rd最大 而不是單一rd的最大 我誤會
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了
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推
01/08 21:58, , 14F
討論的高手還在嗎? w說的都很有道理 但是VGD=Vt=0.5時
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01/08 22:00, , 15F
輸入Vcm應該是 Vcm=VG=VD+0.5=2.5 這樣想哪裡錯了嗎?
01/08 22:00, 15F
我也有同樣的問題?? ※ 編輯: goodbye177 來自: 114.26.201.207 (01/08 22:43)
推
01/09 00:17, , 16F
(C)電流變大 所以VD會降低 本來VGD已經小於VT 所以更不可能
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(D)R2變大 VS上升 故VGS變小可進入飽和區
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R2變大 VD也會變大 且VGS小速度比VDS快 故可以飽和
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01/09 00:22, , 19F
關於第2題嘛 我還是覺得要給RD 所以我不會 SOR
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01/09 00:27, , 20F
又說錯 = = 本來VGD已經大於VT才對
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