PTT
網頁版
登入/註冊
新聞
熱門文章
熱門看板
看板列表
作者查詢
最新文章
我的收藏
最近瀏覽
看板名稱查詢
批踢踢 PTT 搜尋引擎
看板
[
Electronics
]
討論串
[問題] 次臨界擺幅與氧化層厚度的關係
共 2 篇文章
排序:
最新先
|
最舊先
|
留言數
|
推文總分
內容預覽:
開啟
|
關閉
|
只限未讀
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁
#2
Re: [問題] 次臨界擺幅與氧化層厚度的關係
推噓
0
(0推
0噓 0→
)
留言
0則,0人
參與
,
最新
作者
deepwoody
(快回火星吧)
時間
8年前
發表
(2018/01/12 13:55)
,
編輯
資訊
0篇文章回應此文
0
內文有1個圖片
image
1
內文有0個連結
link
0
內容預覽:
如果你知道怎麼算SS,那就直接從SS看. SS = 60mV/dec * [1 + (Cdep+Cit)/Cox]. 因為題目說除了tox外都一樣,所以從兩個device的SS可以得知 (Cdep+Cit)/Cox. 然後Cdep+Cit對兩個device都一樣,所以可以得出Cox的ratio,也就
#1
[問題] 次臨界擺幅與氧化層厚度的關係
推噓
0
(0推
0噓 1→
)
留言
1則,0人
參與
, 8年前
最新
作者
VVVBB124
(新粘快熱)
時間
8年前
發表
(2018/01/11 20:33)
, 8年前
編輯
資訊
0篇文章回應此文
0
內文有1個圖片
image
1
內文有0個連結
link
0
內容預覽:
https://i.imgur.com/Kkn6GhG.jpg.
請問各位大大. 這題的B選項. 該如何作答呢. --.
※
發信站:
批踢踢實業坊(ptt.cc),
來自:
39.9.197.189
.
※
文章網址:
https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.151
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁