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討論串[問題] LDO中pass transistor的工作區
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#3
Re: [問題] LDO中pass transistor的工作區
推噓2(2推 0噓 9→)留言11則，0人參與, 最新作者susuper (蘇舒跑)時間9年前 (2016/09/17 21:22), 編輯資訊
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本身實力可能也還不夠. 想說可以一起討論. 個人認為一般來說 是建議設計在SAT Region，. 畢竟SAT確保你的第二級有足夠的Gain而且由於你的Vout與Vin幾乎無關，. 所以無論DC之Line甚至於低頻的PSRR都非常不錯. 但是若是Wide Region之LDO(10uA to 100
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#2
Re: [問題] LDO中pass transistor的工作區
推噓5(5推 0噓 7→)留言12則，0人參與, 最新作者jamtu (月光下的智慧)時間9年前 (2016/09/17 02:14), 9年前編輯資訊
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我沒有實際tapeout過LDO，不清楚實務上的考量. 以下給的建議單純是就我做一般放大器/ADC的經驗來看. 首先先釐清一個定義：VDS > VDSAT 即操作在 saturation 或是 subthreshold. VDS < VDSAT 即操作在 linear region (triode
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#1
[問題] LDO中pass transistor的工作區
推噓2(2推 0噓 7→)留言9則，0人參與, 最新作者Ferri (菲莉)時間9年前 (2016/09/10 00:17), 9年前編輯資訊
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大家好，小弟類比電路還不太行，. 最近在讀LDO，遇到一點疑問讀不太通，想請各位指點。. LDO中，pass transistor(p-type)的工作點可能會落在. saturation region,linear region(triode region),sub-threshold regio
(還有1625個字)
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