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討論串[問題] 類比電路的bias計算
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#3
Re: [問題] 類比電路的bias計算
推噓3(3推 0噓 3→)留言6則，0人參與, 最新作者jamtu (月光下的智慧)時間14年前 (2011/06/08 00:29), 編輯資訊
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現在的MOS model非常複雜. 電子學課本所學的公式早就已經不適用了. 但是趨勢不變，VGS增加與W/L增加仍然會導致電流增加. 從netlist裡面得到的小信號參數觀念仍然適用. 每跑一次DC去抓裡面的gm,gds,以及電容值仍然是很有用的. 有關於OP電路裡面的每一個偏壓點要怎麼給. 請自己
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#2
Re: [問題] 類比電路的bias計算
推噓0(0推 0噓 1→)留言1則，0人參與, 最新作者henry9102017 (小豬仔)時間14年前 (2011/06/06 15:19), 編輯資訊
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不知道你的電路是否有固定的spec呢??. 比如說gain BW power之類的. 如果有的話. 我覺得你有些bias設定上面的參數就可以先決定. 諸如 全部的電流等等. 當然 要全部用手算的來符合電路模擬是件很好的事情. 若我使用我第一次使用的process 我會先跑device的IV curv
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#1
[問題] 類比電路的bias計算
推噓7(7推 0噓 31→)留言38則，0人參與, 最新作者sensitivity9 (嘆)時間14年前 (2011/06/04 16:42), 編輯資訊
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最近在修一些有關類比電路設計的課. 常常要用Hspice Run. 第一步就是要Run到全部MOS在Saturation. 但是每次做作業 就是 "Try and error "= =. 真正在Hspice上 以前電子學學的. 好像又不是這麼回事= =. 二十幾顆 MOS 一下這顆linear 調一
(還有78個字)
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